根据“中国科学技术大学关于开展2023年硕转博工作的通知”及相关规定，现将天博注册“硕转博”工作事宜通知如下： 一、选拔对象范围我院相关专业2021级及部分2020级在读硕士生 二、选拔对象基本条件（1）具有高尚的爱国主义情操和集体主义精神，社会主义信念坚定，社会责任感强，遵纪守法，积极向上，身心健康；诚实守信，学风端正，无考试作弊、剽窃他人学术成果以及其他违纪言行受纪律处分情况（处分期内）；（2）原...
一、招生单位及专业领域天博注册：电子信息类别（集成电路工程领域） 二、招生对象及条件【招生对象】1、在职攻读工程博士，主要面向国家重点行业、战略性新兴产业行业中的技术骨干（全日制定向）；2、脱产攻读工程博士，须已取得硕士学位或应届硕士毕业生（全日制非定向）。 【报考条件】1、满足我校博士生招生网上报名公告规定的基本条件（https://yz.ustc.edu.cn）2、考生本科或硕士阶段具有理工等相关学科领域背景...
近日，中国科大国家示范性天博注册程林教授课题组设计的一款高效率、高电流密度的降压-升压直流-直流转换器(Buck-Boost DC-DC Converter)芯片亮相于集成电路设计领域最高级别会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)。ISSCC是国际上最尖端芯片设计技术发表之地，其在学术界和产业界受到极大关注，也被称为 “芯片奥林匹克”。ISSCC 2023于今年2月19日至23日在美国旧金山举行。Buck-Boost转换器广泛应用...
近日，天博注册龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果分别以“Enhancement-mode β-Ga2O3 U-shaped gate trench vertical MOSFET realized by oxygen annealing”和“702.3 A·cm-2/10.4 mΩ·cm2 Vertical β-Ga2O3 U-Shape Trench Gate MOSFET with N-Ion Implantati...
